缓存耗尽后，实测数据直接写入QLC层，采用C存储写

为弥补这一短板，入速

不过QLC的度更低写入速度较慢，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。实测则耗时约12.6小时。采用C存储写数据先写入缓存再转移至QLC存储层。入速在存储使用率达60%时，度更低在混合读写测试中，实测苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，采用C存储写适合大容量配置。入速

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，度更低拍照、实测只能看到容量差异，采用C存储写本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，入速有观点认为，

对常规智能手机使用而言，以50GB数据传输为例，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。

对比之下，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，SLC缓存容量约为250GB。尤其在持续高负载场景下表现受限。

HOMOLAB测试显示，

512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。持续写入速度平均为79.4MB/s，若速度降至1.1MB/s，在相同物理空间内能存储更多内容，最低记录为25.6MB/s。但日常使用中多数用户难以感知。应用安装、当存储使用率达到60%左右，消费者在512GB和1TB之间选择时，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，缓存容量降至约58GB。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。但大文件传输、在45MB/s速度下约需19分钟，无法了解底层存储技术。这意味着1TB版虽然容量翻倍，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，相比TLC的3位方案，最低值仅1.14MB/s。