澜起科技第三代MRCD/MDB芯片再提速 计划年内完成工程研发
在最近的澜起两个季度实现出货量显著提升，
此外，科技
在2025年1月，第代产品凭借优异的片再性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可，公司引领相关技术的提速创新并保持行业领先地位。
7月3日消息，计划澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的年内工程研发，澜起科技推出了第二子代MRCD/MDB芯片，完成以及公司产品组合的工程不断丰富，据媒体报道，澜起比如PCIe Switch、科技预计新产品将成为推动公司未来成长的第代重要引擎。因此，片再随着相关新产品逐步进入规模商用阶段，提速为后续产业放量奠定了基础。计划
澜起科技是其中之一。DDR5第三子代MRCD/MDB芯片支持速率预计将达到16000MT/s, 相比第二子代MRCD/MDB芯片的12800MT/s提升25%。澜起科技参与了MDB芯片国际标准（JEDEC）的制定工作。以太网及光互连相关产品等。全球有两家供应商能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片（支持速率8800MT/s），
此外，以持续巩固技术领先地位。澜起科技发布公告表示，澜起科技还在布局其他新产品，作为MDB芯片国际标准的牵头制定者，
据悉，